Analysts Warn DDR4 RAM and SLC NAND Prices Could Spike Again

US-Finanzhäuser warnen, dass sich der Preisdruck bei bestimmten Speicherbausteinen in den kommenden Quartalen weiter verschärfen könnte – mit direkten Folgen für DDR4-RAM und SLC-NAND. Während DDR5 zuletzt bereits kräftig teurer geworden ist, erwarten die Analysten auch bei älteren Speichersegmenten spürbare Aufschläge.

Quick facts: DDR4-RAM und SLC-NAND könnten weiter teurer werden

At a glance

• DDR5-5600/6400 (24 GiB) ist laut Bankdaten im August um rund 8% gestiegen
• Im Jahresvergleich entspricht das einer Verteuerung von etwa 483%
• Morgan Stanley rechnet bei DDR4-RAM mit +50% im dritten Quartal und +10% im vierten Quartal
• Bei SLC-NAND erwartet Morgan Stanley in beiden Quartalen jeweils mindestens +50%
• Als Hauptgrund gelten extreme Angebotsknappheit und Produktionsverlagerungen bis voraussichtlich 2027
• Laufende Langzeitverträge enden offenbar, was neue Preisverhandlungen begünstigt
• HBM-Engpass: HBM benötigt laut Einschätzung dreimal so viele Siliziumwafer wie DRAM
• Für das nächste Jahr wird ein Nvidia-Bedarf von 25,1 Milliarden GiB HBM genannt; branchenweit 61,5 Milliarden GiB

Die jüngste Entwicklung beginnt bereits bei DDR5: Für DDR5-Module im Bereich 5600/6400 mit 24 GiB beziffert die Bank of America den August-Anstieg auf etwa acht Prozent. Im Vergleich zum Vorjahr bedeutet das laut den genannten Zahlen eine Preissteigerung von rund 483% – ein Signal, dass der Markt auch kurzfristig stark angespannt bleibt.

Warum DDR4 und SLC-NAND besonders betroffen sein könnten

Morgan Stanley erwartet nicht nur weiter steigende Kosten im DDR5-Umfeld, sondern stellt vor allem DDR4-RAM sowie SLC-NAND in den Fokus. Konkret nennt die Bank bei DDR4-RAM einen Sprung von 50% für das dritte Quartal, gefolgt von weiteren 10% im vierten Quartal. Bei SLC-NAND sollen die Aufschläge in beiden Quartalen jeweils mindestens bei 50% liegen.

Als Ursache wird eine angebotsseitige, extreme Verknappung angeführt, die mutmaßlich bis 2027 anhalten soll. Der Hintergrund: Hersteller würden ihre Kapazitäten zunehmend auf HBM, DDR5 und höherwertige NAND-Varianten verlagern. Dadurch entstünde in den Bereichen DDR4, SLC-NAND und auch NOR-Flash ein spürbarer Nachschubmangel.

Spannungsfaktor Verträge und steigende Nachfrage

Zusätzlich soll der Markt durch das Auslaufen langfristiger Verträge in Bewegung geraten: Wenn diese Abmachungen enden, erhalten Anbieter laut Einschätzung mehr Spielraum, um neu zu verhandeln. Gleichzeitig bleibt das Interesse an den betroffenen Speicherchips hoch – insbesondere aus Industrieeinsätzen, bei Serverunternehmen sowie für bestehende Netzwerke.

Auch die HBM-Knappheit wird als Verstärker beschrieben. HBM-Speicher soll etwa dreimal so viele Siliziumwafer benötigen wie DRAM, was die Materialversorgung weiter belastet. In einer weiteren Einordnung wird genannt, dass allein Nvidia im kommenden Jahr etwa 25,1 Milliarden GiB HBM benötigen könnte; für die gesamte Branche liegt die erwartete Größenordnung bei 61,5 Milliarden GiB.

Unterm Strich deuten die aktuellen Marktzeichen auf einen anhaltend angespannten Speicherkomplex hin: DDR4-RAM und SLC-NAND könnten dabei über die Quartale hinweg besonders stark von den Angebotsengpässen und dem Kapazitäts-Shift Richtung HBM und DDR5 betroffen sein.